IEEEでは500mの400G DR4しか定義がありません。通称400G DR4+等の2km/10km仕様はIEEE的には4x100Gとなります。
500m | 2km | 10km | |
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IEEE | 400G DR4 | 4x100G FR1 | 4x100G LR1 |
400G DR4+ | |||
400G XDR4 | 400G PLR4 |
breakout構成を決定するのは、400G DR4等の伝送方式ではなく。ファブリックとの電気的lane構成です。400G DR4はQSFP-DDとQSFP112の二つのパッケージが主流になると思われますが、QSFP-DDでは8x50Gが可能ですがQSFP112では無理です。
QSFP-DDの仕様に明記されていたような、確認します。
には研磨面についての記述はありませんね。
にも研磨面についての記述は見当たらず。
IEEE 802.3 400G DR4にも研磨に関する記述は見当たらず。反射-37dB以下とあるだけ。-25dBと言われるPC研磨は脱落、-40dBのSPCでギリギリ、-50dBのUPC、-60dBのAPCなのでUPCでも仕様的には問題ないと言える。
PAM4変調は、信号の強さの真ん中を識別する必要があるので。信号の強さの測定を行う時間が信号の復調を開始する前に必要です。その分、光スイッチ等で切り替わって一度光の信号が途切れた場合に再び電気信号を復調を開始するまでに時間がかかります。
トランシーバー内でPAM4の処理を行わないLPO形式であれば、処理が多段にならないので多少の改善は見込めますがNRZと同等にはならないでしょう。
2024/01/25作業途中
100G LR4 | 100G LR4 | 100G DR | 100G LR1 | 100G BE3 | 100G BE4 | |
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FEC | no | RS(528/514) | RS(544/514) | RS(544/514) | RS(544/514) | RS(544/514) |
latency 64Bytes | 2.02μs | 3.15μs | 2.59μs | 2.69μs | 2.78μs | 2.79μs |
latency 1518Bytes | 2.63μs | 3.77μs | 3.31μs | 3.31μs | 3.40μs | 3.41μs |
power class | 4(3.5W) | 4(3.5W) | 6(4.5W) | 5(4.0W) | 6(4.5W) | 6(4.5W) |
Current | 620mA | 620mA | ||||
4.0W | 4.0W | 4.0W | 3.5W |
power classの定義は起動時のピークではなく定常運用時の消費電力で規定されている。例えばclass 4の3.5Wはピークでは1400mA(5.28W)。