70mWおよび100mW ハイパワーCW半導体レーザーの受注を３月15日開始

報道関係者各位 

プレスリリース 

2023年3月2日 

株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパン 

70mWおよび100mW ハイパワーCW半導体レーザーの受注を３月15日開始 

　この度、ウェーブスプリッタ・テクノロジー社（米国）の日本法人である株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパンでは、70mWおよび100mW ハイパワーCW半導体レーザーの受注を3月15日より開始いたします。あわせて米国で開催されるOFCに出展し、データセンターの高速化・広帯域化に対応するため、いち早く受注を開始した400Gbpsや800Gbpsに対応する光トランシーバ製品などを展示いたします。 

【OFC 2023 (https://www.ofcconference.org/)】 

• 日時 ：2023年3月7日(火)～9日(目)  
• 会場 ：米国カリフォルニア州サンディエゴ・コンベンションセンター 
• 当社出展ブース ：# 5926 

【製品の概要】 

リン化インジウムプロセス技術を用い、高出力CW半導体レーザー ダイオードを実装する必要性が近年高まっています。それは、HPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング）やデータセンター、あるいはビデオ配信センターなどで、より高密度で高帯域幅のネットワークアプリケーションのニーズの高まりによるものです。 

今回受注を開始する70mWおよび100mW ハイパワーCW半導体レーザーは、シリコンフォトニクスにおける高レベルでのインテグレーションによって、1 つのレーザーを使用して最大４つ、または２つのデータチャネルに出力を供給することができます。なお、各データチャネルの変調器はシリコンに埋め込むことも可能です。 70mW 出力仕様は 2×2 400G (2チャネルのCWレーザーを２個)構成の光トランシーバでの使用を想定しており、 100mW出力仕様は1×4 400G (4チャネルのCWレーザーを１個) 構成での光トランシーバでの使用を想定しております。 

今回受注を開始する半導体レーザーは波長1310nmで提供開始いたしますが、お客様のニーズに応じて他の波長への対応も可能となっており、COC/COB形式の他、TOおよびTOSAパッケージでの供給も可能です。 

本製品は台湾で製造され、TAA（米国貿易調整支援制度）に準拠しています。 

図１　400Gbps QSFP-DD 光トランシーバでの利用例 

【ウェーブスプリッタ・テクノロジー社について】 
ウェーブスプリッタ・テクノロジー社は米国カリフォルニア州に本社を置く、データセンターや携帯通信のバックボーンネットワーク、あるいは携帯無線基地局のアクセス・ネットワークなどで使用される光イーサネットや、科学計算などで使用されるHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング）システムでも必要不可欠となる、光通信モジュール製品を製造販売する企業です。 

【株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパンについて】 

株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパンは、ウェーブスプリッタ・テクノロジー社（米国）の日本法人です。ウェーブスプリッタ・テクノロジー社（米国）製品の日本国内における輸入販売事業を行い、国内のお客様へ高品質で安定した、価値ある製品を提供してまいります。 

会社名 ： 株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパン 

所在地 ： 〒101-0051東京都千代田区神田神保町 2-14　朝日神保町プラザ302 
ゼネラルマネージャ ： 櫻井 豊 
URL ： https://wavesplitter.jp/ 

【本件に関するお問い合わせ先】 
株式会社ウェーブスプリッタ・ジャパン 
ゼネラルマネージャ　櫻井 

Eメール： sakurai@wavesplitter.com